在化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）等气相薄膜制备技术中，前驱体 (Precursor)是指在沉积过程中，被引入反应腔室并包含最终薄膜目标元素的起始化学物质，是连接化学原料与功能薄膜的关键桥梁。
CVD 前驱体 核心关键在于较高的蒸气压与快速反应速率，需保证气相浓度充足以实现高效沉积，平衡产能与薄膜基础质量，是半导体量产制造中兼顾效率的基础工艺选择。
ALD 前驱体 核心特性是自限制性（Self-limiting）与优异热稳定性，前驱体仅单层吸附且高温不分解，从根本上保障了薄膜的原子级厚度精度与全局均匀一致性。
